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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
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Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
33
左右 -14% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.0
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
29
读取速度,GB/s
8.0
16.8
写入速度,GB/s
7.3
11.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1911
3072
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
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Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
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