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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
总分
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
48
左右 31% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
10.4
8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.5
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
48
读取速度,GB/s
8.0
10.4
写入速度,GB/s
7.3
8.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1911
1858
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
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