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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
33
左右 -3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
32
读取速度,GB/s
8.0
16.1
写入速度,GB/s
7.3
12.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1911
2711
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
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