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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
33
左右 -22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.4
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
27
读取速度,GB/s
8.0
15.7
写入速度,GB/s
7.3
10.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1911
3052
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB RAM的比较
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
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Kingston 99U5428-065.A00LF 8GB
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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
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