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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
46
左右 28% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
20.6
8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
46
读取速度,GB/s
8.0
20.6
写入速度,GB/s
7.3
13.2
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1911
2973
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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