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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
总分
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
33
左右 -18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.0
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
28
读取速度,GB/s
8.0
17.0
写入速度,GB/s
7.3
13.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1911
3211
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
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