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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
总分
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
40
左右 18% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.6
8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
40
读取速度,GB/s
8.0
15.6
写入速度,GB/s
7.3
12.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1911
3034
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
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Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
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Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
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