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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
总分
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
33
左右 -3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.6
8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
32
读取速度,GB/s
8.0
15.6
写入速度,GB/s
7.3
13.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1911
3000
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
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