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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
33
左右 -14% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.5
8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.1
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
29
读取速度,GB/s
8.0
18.5
写入速度,GB/s
7.3
14.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1911
3434
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
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