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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
总分
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
33
左右 -50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.4
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
22
读取速度,GB/s
8.0
16.9
写入速度,GB/s
7.3
14.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1911
3166
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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
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Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
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