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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB

总分
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

总分
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Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB

Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB 需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    33 left arrow 83
    左右 60% 更低的延时
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB 需要考虑的原因
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    14.3 left arrow 8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    7.8 left arrow 7.3
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 10600
    左右 1.6 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    33 left arrow 83
  • 读取速度，GB/s
    8.0 left arrow 14.3
  • 写入速度，GB/s
    7.3 left arrow 7.8
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1911 left arrow 1752

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