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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Kingston 9905702-204.A00G 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
总分
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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需要考虑的原因
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
33
左右 -6% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
31
读取速度,GB/s
8.0
16.2
写入速度,GB/s
7.3
12.1
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1911
3084
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB RAM的比较
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Kingston 9905702-204.A00G 8GB RAM的比较
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
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G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
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