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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Kingston 9905712-016.A00G 16GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
总分
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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需要考虑的原因
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
33
左右 -38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
24
读取速度,GB/s
8.0
16.8
写入速度,GB/s
7.3
12.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1911
2991
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
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