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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
总分
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
34
左右 3% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.5
8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.7
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
34
读取速度,GB/s
8.0
15.5
写入速度,GB/s
7.3
11.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1911
2881
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Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB RAM的比较
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Inmos + 256MB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
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