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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Kingston XN205T-MIE 16GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
总分
Kingston XN205T-MIE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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需要考虑的原因
Kingston XN205T-MIE 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
33
左右 -6% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
31
读取速度,GB/s
8.0
16.9
写入速度,GB/s
7.3
15.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1911
3522
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
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