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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
36
左右 8% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.7
8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.6
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
36
读取速度,GB/s
8.0
13.7
写入速度,GB/s
7.3
10.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1911
2504
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Frequency (Mhz) *
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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