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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
总分
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.3
6.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
33
左右 -50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
22
读取速度,GB/s
8.0
15.0
写入速度,GB/s
7.3
6.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1911
2272
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Kingston 9905702-082.A00G 8GB
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DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
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