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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
总分
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
60
左右 45% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.3
8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.0
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
60
读取速度,GB/s
8.0
15.3
写入速度,GB/s
7.3
11.0
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1911
2359
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB RAM的比较
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Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
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Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
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G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
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