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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
42
左右 21% 更低的延时
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.7
8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
42
读取速度,GB/s
8.0
15.7
写入速度,GB/s
7.3
11.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1911
2737
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
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