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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
总分
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.3
6.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
33
左右 -10% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13
8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
30
读取速度,GB/s
8.0
13.0
写入速度,GB/s
7.3
6.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1911
2317
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
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Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
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