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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
总分
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
34
左右 3% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
10.8
8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.3
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
34
读取速度,GB/s
8.0
10.8
写入速度,GB/s
7.3
8.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1911
2416
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB RAM的比较
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SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
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