RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
总分
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
报告一个错误
需要考虑的原因
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
33
左右 -94% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.8
8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.6
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
17
读取速度,GB/s
8.0
21.8
写入速度,GB/s
7.3
16.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1911
3695
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB RAM的比较
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965516-477.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link