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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
33
左右 -18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
28
读取速度,GB/s
8.0
17.2
写入速度,GB/s
7.3
12.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1911
3273
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
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Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
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Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
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