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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
总分
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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需要考虑的原因
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
63
左右 -66% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.2
8.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
38
读取速度,GB/s
8.1
14.2
写入速度,GB/s
7.5
10.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1945
2429
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
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Kingston 9905678-024.A00G 4GB
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Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
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