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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
总分
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
63
126
左右 50% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.5
6.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.9
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
126
读取速度,GB/s
8.1
12.9
写入速度,GB/s
7.5
6.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1945
1108
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
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