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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
总分
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
63
左右 -133% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
8.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
27
读取速度,GB/s
8.1
18.4
写入速度,GB/s
7.5
14.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1945
3203
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
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Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
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