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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
总分
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
差异
规格
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
63
左右 -133% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.8
8.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.9
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
27
读取速度,GB/s
8.1
14.8
写入速度,GB/s
7.5
10.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1945
2641
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
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