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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
总分
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
差异
规格
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
63
左右 -75% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
8.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
36
读取速度,GB/s
8.1
16.5
写入速度,GB/s
7.5
13.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1945
3013
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RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
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