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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
总分
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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需要考虑的原因
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
63
左右 -174% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
8.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
23
读取速度,GB/s
8.1
18.4
写入速度,GB/s
7.5
13.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1945
3387
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
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