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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
总分
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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需要考虑的原因
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
63
左右 -117% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18
8.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.0
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
29
读取速度,GB/s
8.1
18.0
写入速度,GB/s
7.5
16.0
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1945
3686
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
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