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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
总分
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
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规格
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Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
63
左右 -117% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19
8.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
29
读取速度,GB/s
8.1
19.0
写入速度,GB/s
7.5
15.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1945
3714
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
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