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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
63
左右 -97% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
8.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
32
读取速度,GB/s
8.1
16.1
写入速度,GB/s
7.5
12.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1945
2902
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
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