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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
差异
规格
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差异
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
63
左右 -133% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
8.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.3
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
27
读取速度,GB/s
8.1
18.4
写入速度,GB/s
7.5
14.3
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1945
3388
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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
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Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
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