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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
总分
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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需要考虑的原因
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
63
左右 -117% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
8.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
29
读取速度,GB/s
8.1
17.3
写入速度,GB/s
7.5
12.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1945
3030
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
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