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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
总分
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
63
左右 -103% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.3
8.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
20.0
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
31
读取速度,GB/s
8.1
22.3
写入速度,GB/s
7.5
20.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1945
4051
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
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