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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Kingston 9905599-025.A00G 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
总分
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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需要考虑的原因
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
63
左右 -152% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.5
8.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.8
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
25
读取速度,GB/s
8.1
14.5
写入速度,GB/s
7.5
9.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1945
2472
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
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