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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Kingston 9965662-013.A01G 16GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
总分
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.5
6.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
63
左右 -58% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
9.2
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
40
读取速度,GB/s
8.1
9.2
写入速度,GB/s
7.5
6.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1945
2125
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Super Talent F21UB8GS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
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Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Mushkin 991586 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
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