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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB

总分
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

总分
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Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB

Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB 需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    63 left arrow 99
    左右 36% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    7.5 left arrow 6.4
    测试中的平均数值
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB 需要考虑的原因
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    14.4 left arrow 8.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 12800
    左右 1.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    63 left arrow 99
  • 读取速度，GB/s
    8.1 left arrow 14.4
  • 写入速度，GB/s
    7.5 left arrow 6.4
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1945 left arrow 1386

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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
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Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
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内存RAM
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
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内存RAM
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
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内存RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
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A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
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内存RAM
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
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