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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kllisre 0000 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Kllisre 0000 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
总分
Kllisre 0000 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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需要考虑的原因
Kllisre 0000 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
49
63
左右 -29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
10.9
8.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.9
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kllisre 0000 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
49
读取速度,GB/s
8.1
10.9
写入速度,GB/s
7.5
7.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1945
2220
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
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