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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
总分
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
49
左右 -81% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.4
10
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.2
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
27
读取速度,GB/s
10.0
14.4
写入速度,GB/s
8.2
9.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2116
2575
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
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