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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
总分
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
49
左右 -69% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.3
10
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.9
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
29
读取速度,GB/s
10.0
18.3
写入速度,GB/s
8.2
15.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2116
3584
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
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Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
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Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
INTENSO 5641160 8GB
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