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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
49
左右 -63% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.3
10
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.0
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
30
读取速度,GB/s
10.0
13.3
写入速度,GB/s
8.2
10.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2116
2306
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
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Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
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