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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
总分
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
49
左右 -63% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
10
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
30
读取速度,GB/s
10.0
18.1
写入速度,GB/s
8.2
14.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2116
3352
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
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