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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Kingston 9905711-032.A00G 8GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
总分
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.2
7.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
49
左右 -20% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.2
10
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
41
读取速度,GB/s
10.0
13.2
写入速度,GB/s
8.2
7.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2116
2040
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Crucial Technology CT32G48C40U5.M16A1 32GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
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