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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
总分
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
49
左右 -36% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.2
10
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
36
读取速度,GB/s
10.0
19.2
写入速度,GB/s
8.2
11.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2116
3256
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
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