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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
总分
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
44
49
左右 -11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.5
10
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
44
读取速度,GB/s
10.0
17.5
写入速度,GB/s
8.2
10.7
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2116
2518
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
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