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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
比较
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
总分
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
总分
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
42
左右 -27% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.6
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
33
读取速度,GB/s
10.6
15.6
写入速度,GB/s
9.0
14.6
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2423
3136
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Kingston 9965669-018.A00G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
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