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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
比较
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
总分
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
18
42
左右 -133% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.4
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
18.5
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
18
读取速度,GB/s
10.6
21.4
写入速度,GB/s
9.0
18.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2423
3625
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
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