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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
比较
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
总分
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
42
左右 -40% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
30
读取速度,GB/s
10.6
19.0
写入速度,GB/s
9.0
14.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2423
3435
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB RAM的比较
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
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