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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
比较
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
总分
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
42
左右 -45% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.9
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
29
读取速度,GB/s
10.6
17.9
写入速度,GB/s
9.0
13.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2423
3336
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
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